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Memoria 16GB DDR4 3200MHz KGT KVR
Memoria 16GB DDR4 3200MHz KGT KVR

Memoria 16GB DDR4 3200MHz KGT KVR

Código: PHMC078-02003
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Kingston
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Detalhes do produto

Características:

Marca: Kingston

Modelo: KVR32S22S8/16

A Memória Kingston 16GB DDR4 3200MHz KVR32S22S8/16 é a escolha ideal para quem deseja aumentar o desempenho do notebook sem complicação. Com 16GB de capacidade, frequência de 3200MHz e tecnologia DDR4 de alta eficiência, ela garante inicialização mais rápida, multitarefas fluida e maior produtividade. Sua construção no padrão SODIMM assegura compatibilidade com a maioria dos notebooks modernos, enquanto a qualidade Kingston oferece estabilidade e confiabilidade para uso diário, profissional ou acadêmico.

Especificações Técnicas:

Tipo: DDR4 SODIMM

Capacidade: 16GB

Frequência: 3200MHz (PC4-25600)

Latência: CL22

Tensão: 1.2V

Rank: Single Rank (1Rx8)

Pinos: 260 pinos

Organização: 2048M x 64

Temperatura de Operação: 0°C a 85°C

Temperatura de Armazenamento: -55°C a 100°C

Aplicação: Notebooks e mini PCs compatíveis com DDR4

Formato: SODIMM padrão

Função ECC: Não possui

Velocidade de Transferência: Até 25.600 MB/s

Tecnologias: On-Die Termination (ODT), Topologia Fly-By

Dimensões:

17 x 7 x 3cm

Peso: 0,015kg

Garantia:

12 Meses (direto no balcão)

Especificações técnicas e atributos

Especificações técnicas

Informações Técnicas:

O KVR32N22S8/16 é um módulo de memória SDRAM DDR4-3200 CL22 de 2G x 64 bits
(16GB) (DRAM síncrona), 1Rx8, baseado em oito FBGA de 2G x 8bits. O SPD é
programado para o tempo de lat̻ncia DDR4-3200 padr̜o JEDEC de 22-22-22 a
1,2V. Cada DIMM de 288 pinos usa contatos dourados. As especificaúões
elétricas e mecÃónicas sÃúo as seguintes:Características:âÇó Fonte de
alimentaúÃúo: VDD = 1.2V típicoâÇó VDDQ = 1.2V típicoâÇó VPP = 2.5V
típicoâÇó VDDSPD = 2.2V a 3.6VâÇó TerminaúÃúo nominal e dinÃómica na matriz
(ODT) para sinais de dados, estroboscópio e mÃíscaraâÇó AtualizaúÃúo
automÃítica de baixa potência (LPASR)âÇó InversÃúo de barramento de dados
(DBI) para barramento de dadosâÇó GeraúÃúo e calibraúÃúo VREFDQ na
matrizâÇó Single rankâÇó EEPROM de detecúÃúo de presenúa serial (SPD) I2
integradaâÇó 16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cadaâÇó Corte de rajada
fixo (BC) de 4 e comprimento de rajada (BL) de 8 através do conjunto de
registros de modo (MRS)âÇó BC4 ou BL8 selecionÃível on-the-fly (OTF)âÇó
Topologia de passagemâÇó Comando de controle terminado e barramento de
endereúoâÇó PCB: Altura 1,23 âÇ¥(31,25 mm)âÇó Compatível com RoHS e sem
halogênioEspecificaúões:CL (IDD) = 22 ciclosTempo do ciclo da linha
(tRCmin) = 45,75ns (min.)Refresh para tempo de comando ativo (tRFCmin) = 350ns
(min.)Tempo ativo da linha (tRASmin) = 32ns (min.)Classifica̼̜o UL: 94V -
0Temperatura de operaúÃúo: 0ºC a +85ºCTemperatura de armazenamento: -55ºC
a +100ºC
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