Memória 8GB DDR3 1333Mhz Kingston KVR1333D3N9/8G
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Kingston
Memória Kingston 4GB DDR3 1333Mhz CL9 KVR1333D3N9/4G (Dell / HP). Garantia: 12 meses.
Especificações técnicas
Informações Técnicas:
A partir do momento que a memória DDR3 atingiu seus limites no mundo da
tecnologia, em constante mudança, onde se exige maior desempenho e maior
largura de banda, surgiu uma nova geração de memórias SDRAM DDR no horizonte: a
DDR4.
Previsto no final de 2014, o DDR4 promete oferecer três coisas: maior
desempenho, maiores capacidades de DIMM e menor consumo de energia.
Alcançando mais de 2Gbps por pin e consumindo menos energia do que DDR3L (que é
de baixa potência), a DDR4 oferece até 50% de aumento de desempenho e
capacidade de largura de banda, diminuindo a tensão e a eficiência de energia
de todo o ambiente de computação. Isso representa uma melhoria significativa em
relação às tecnologias de memória anteriores e uma economia de energia de até
40%.
Além do desempenho otimizado e da computação mais ecológica e de baixo custo, o
DDR4 também oferece verificações de redundância cíclica (CRC) para
confiabilidade de dados aprimorada, detecção de paridade no chip para
verificação de integridade de 'comando e endereço' transferidos por um link,
integridade de sinal aprimorada e outros recursos robustos do RAS.
Descrição
DDR4
Vantagens
Chip Densities
4Gb û 16Gb
Larger DIMM Capacities
Data Rates
1600Mb/s û 3200Mb/s
Migration to Higher-Speed I/O
Voltage
1.2V
Reduced Memory Power Demand
Low Voltage Standard
Anticipated at 1.1V
Memory Power Reductions
Internal Banks
16
More Banks
Bank Groups (BG)
4
Faster Burst Accesses
VREF inputs
1 û CMD/ADDR
VREFDQ Now Internal
tCK û DLL Enabled
667MHz û 1.6GHz
Higher Data Rates
tCK û DLL Disabled
Undefined to 125MHz
DLL-off now fully supported
Read Latency
AL + CL
Expanded Values
Write Latency
AL + CWL
Expanded Values
DQ Driver (ALT)
48 ?
Optimal for PtP pplications
DQ Bus
POD12
Less I/O Noise and Power
RTT Values (in ?)
240, 120, 80, 60, 48, 40, 34
Support for Higher Data Rates
RTT Not Allowed
Disables during Read Bursts
Ease-of-Use
ODT Modes
Nominal, Dynamic, Park
AddÆl Control Mode; OTF Value Change
ODT Control
ODT Signaling NOT Required
Ease of ODT Control; Allows Non-ODT Routing, PtP Apps
Multi-Purpose Register
Four Registers û 3 Defined, 1 RFU
Provides Additional Specialty Readout
DIMM Types
RDIMM, LRDIMM, UDIMM/ SODIMM
DIMM Pins
288 (R, LR, U); 260 (SODIMM)
RAS
CRC, Parity, Addressability, GDM
More RAS Features, Improved Data Integrity
A partir do momento que a memória DDR3 atingiu seus limites no mundo da
tecnologia, em constante mudança, onde se exige maior desempenho e maior
largura de banda, surgiu uma nova geração de memórias SDRAM DDR no horizonte: a
DDR4.
Previsto no final de 2014, o DDR4 promete oferecer três coisas: maior
desempenho, maiores capacidades de DIMM e menor consumo de energia.
Alcançando mais de 2Gbps por pin e consumindo menos energia do que DDR3L (que é
de baixa potência), a DDR4 oferece até 50% de aumento de desempenho e
capacidade de largura de banda, diminuindo a tensão e a eficiência de energia
de todo o ambiente de computação. Isso representa uma melhoria significativa em
relação às tecnologias de memória anteriores e uma economia de energia de até
40%.
Além do desempenho otimizado e da computação mais ecológica e de baixo custo, o
DDR4 também oferece verificações de redundância cíclica (CRC) para
confiabilidade de dados aprimorada, detecção de paridade no chip para
verificação de integridade de 'comando e endereço' transferidos por um link,
integridade de sinal aprimorada e outros recursos robustos do RAS.
Descrição
DDR4
Vantagens
Chip Densities
4Gb û 16Gb
Larger DIMM Capacities
Data Rates
1600Mb/s û 3200Mb/s
Migration to Higher-Speed I/O
Voltage
1.2V
Reduced Memory Power Demand
Low Voltage Standard
Anticipated at 1.1V
Memory Power Reductions
Internal Banks
16
More Banks
Bank Groups (BG)
4
Faster Burst Accesses
VREF inputs
1 û CMD/ADDR
VREFDQ Now Internal
tCK û DLL Enabled
667MHz û 1.6GHz
Higher Data Rates
tCK û DLL Disabled
Undefined to 125MHz
DLL-off now fully supported
Read Latency
AL + CL
Expanded Values
Write Latency
AL + CWL
Expanded Values
DQ Driver (ALT)
48 ?
Optimal for PtP pplications
DQ Bus
POD12
Less I/O Noise and Power
RTT Values (in ?)
240, 120, 80, 60, 48, 40, 34
Support for Higher Data Rates
RTT Not Allowed
Disables during Read Bursts
Ease-of-Use
ODT Modes
Nominal, Dynamic, Park
AddÆl Control Mode; OTF Value Change
ODT Control
ODT Signaling NOT Required
Ease of ODT Control; Allows Non-ODT Routing, PtP Apps
Multi-Purpose Register
Four Registers û 3 Defined, 1 RFU
Provides Additional Specialty Readout
DIMM Types
RDIMM, LRDIMM, UDIMM/ SODIMM
DIMM Pins
288 (R, LR, U); 260 (SODIMM)
RAS
CRC, Parity, Addressability, GDM
More RAS Features, Improved Data Integrity


